PECVD淀积SiO2的应用
来源期刊:功能材料与器件学报2008年第1期
论文作者:吕文龙 罗仲梓 何熙 张春权
关键词:PECVD; SiO2; AZ5214E; 剥离;
摘 要:研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响.结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约21μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模.
吕文龙1,罗仲梓1,何熙2,张春权1
(1.厦门大学萨本栋微机电研究中心,厦门,361005;
2.天津大学材料学院,天津,300072)
摘要:研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响.结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约21μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模.
关键词:PECVD; SiO2; AZ5214E; 剥离;
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