简介概要

PECVD淀积SiO2的应用

来源期刊：功能材料与器件学报2008年第1期

论文作者：吕文龙罗仲梓何熙张春权

关键词：PECVD; SiO2; AZ5214E; 剥离;

摘要：研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响.结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约21μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模.

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吕文龙¹，罗仲梓¹，何熙²，张春权¹

(1.厦门大学萨本栋微机电研究中心,厦门,361005;
2.天津大学材料学院,天津,300072)

摘要:研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响.结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约21μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模.

关键词:PECVD; SiO2; AZ5214E; 剥离;

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