高压相变晶体化学:Ⅰ.高压下SiO₂物相氧硅离子的半径变化和迁移行为

来源期刊：矿物学报2010年第3期

论文作者：施倪承 李国武 马喆生 熊明

文章页码：355 - 360

关键词：SiO2多形;高压相变晶体化学;配位多面体;离子半径;

摘    要：高压下随着压力增加,氧化物及硅酸盐矿物中的阳离子会发生从配位数低的多面体向配位数高的多面体迁移的现象,这种迁移是由于阴阳离子半径的比值发生改变引起的。对SiO2在高压下形成的各种多形的氧和硅的离子半径进行计算,发现氧离子半径是随压力增加及相变的发生而逐渐缩小,但硅离子半径随压力增加及相变的发生而有明显的增大。这种现象可能是在高压下离子化合物逐渐向金属相化合物转变引起的。