V2O5薄膜用作SO2气敏传感器
来源期刊：功能材料2002年第1期
论文作者：范正修 孙玉琴 汤兆胜
关键词：V2O5; 薄膜; 传感器; SO2;
摘 要：在O2/Ar气氛中,用射频磁控溅射法在常温下溅射V2O5粉末靶得到氧化钒薄膜.在350℃热处理后,经XRD分析.薄膜的主要成分为V2O5.在不同温度下对v2O5薄膜作了对"空气和SO2"的混合气氛的敏感特性测试分析,发现在300～390℃范围内,薄膜对SO2气体灵敏度随温度的升高而增大,在超过390℃后,灵敏度随温度升高而降低.在SO2气体去除后,薄膜的电阻值能恢复到初始状态,气敏过程可反复进行.文章对V2Os薄膜的气敏机理作了定性描述.
范正修1，孙玉琴1，汤兆胜1
(1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800)
摘要:在O2/Ar气氛中,用射频磁控溅射法在常温下溅射V2O5粉末靶得到氧化钒薄膜.在350℃热处理后,经XRD分析.薄膜的主要成分为V2O5.在不同温度下对v2O5薄膜作了对"空气和SO2"的混合气氛的敏感特性测试分析,发现在300～390℃范围内,薄膜对SO2气体灵敏度随温度的升高而增大,在超过390℃后,灵敏度随温度升高而降低.在SO2气体去除后,薄膜的电阻值能恢复到初始状态,气敏过程可反复进行.文章对V2Os薄膜的气敏机理作了定性描述.
关键词:V2O5; 薄膜; 传感器; SO2;
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