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GexSi1-x/Si中应变的会聚束电子衍射研究

来源期刊:功能材料与器件学报2000年第4期

论文作者:王占国 范缇文 吴巨

关键词:Gex Si1-x; 会聚束电子衍射; 计算机模拟; 应变;

摘    要:介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定GexSi1-x/ Si化学梯度层中应变分布的实验结果,提供了一种高空间分辨率、高灵敏度,且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径.

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GexSi1-x/Si中应变的会聚束电子衍射研究

王占国1,范缇文1,吴巨1

(1.中国科学院半导体研究所材料开放实验室,北京,100083)

摘要:介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定GexSi1-x/ Si化学梯度层中应变分布的实验结果,提供了一种高空间分辨率、高灵敏度,且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径.

关键词:Gex Si1-x; 会聚束电子衍射; 计算机模拟; 应变;

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