氧分压对反应磁控溅射ZrO2薄膜光学透射率的影响
来源期刊:功能材料2004年增刊第1期
论文作者:徐可为 赵莎
关键词:氧分压; 反应磁控溅射; ZrO2薄膜; 光学透射率;
摘 要:从氧空位、表面粗糙度及晶界三方面,讨论了氧分压对射频反应磁控溅射ZrO2薄膜光学透射率的影响.结果表明,随氧分压增大,氧空位的减少使单斜相逐渐占优,缺氧状况的改善使薄膜透射率逐渐升高;高氧分压下,出现颗粒聚集现象,表面粗糙度大幅增加及晶粒的聚集长大,使薄膜透射率下降.
徐可为1,赵莎1
(1.西安交通大学,金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049)
摘要:从氧空位、表面粗糙度及晶界三方面,讨论了氧分压对射频反应磁控溅射ZrO2薄膜光学透射率的影响.结果表明,随氧分压增大,氧空位的减少使单斜相逐渐占优,缺氧状况的改善使薄膜透射率逐渐升高;高氧分压下,出现颗粒聚集现象,表面粗糙度大幅增加及晶粒的聚集长大,使薄膜透射率下降.
关键词:氧分压; 反应磁控溅射; ZrO2薄膜; 光学透射率;
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