PECVD制备嵌埋在硅槽中的硅反Opal结构
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第6期
论文作者：李宇杰 韩喻 谢凯 许静
关键词：PECVD; 反Opal结构; Si凹槽;
摘 要：摸索了利用PECVD方法制备嵌埋于硅槽中Si反Opal结构的工艺条件,探索性研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间和Opal基底状态对填充效果的影响.结果显示射频功率越小,流量越低,反应室压力越大,则反应速率越低,Opal结构内外填充越均匀.同时,在[SiHm]自由基扩散通道不被堵塞的前提下,沉积时间越长,Opal结构排列越规整,则整体填充越致密,越有利于反Opal结构的形成.
李宇杰1，韩喻1，谢凯1，许静1
(1.国防科学技术大学材料工程与应用化学系,长沙,410073)
摘要:摸索了利用PECVD方法制备嵌埋于硅槽中Si反Opal结构的工艺条件,探索性研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间和Opal基底状态对填充效果的影响.结果显示射频功率越小,流量越低,反应室压力越大,则反应速率越低,Opal结构内外填充越均匀.同时,在[SiHm]自由基扩散通道不被堵塞的前提下,沉积时间越长,Opal结构排列越规整,则整体填充越致密,越有利于反Opal结构的形成.
关键词:PECVD; 反Opal结构; Si凹槽;
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