空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第4期
论文作者：蔚燕华 李成基 李韫言
关键词：砷化镓; 汽泡; 俄歇分析; 阴极荧光;
摘 要：在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生,经俄歇分析,汽泡表面约有10nm的砷层,它从半绝缘砷化镓内部逸出,导致其成为半导体.用阴极荧光形貌观测了其多晶结构.
蔚燕华1，李成基1，李韫言1
(1.中国科学院半导体研究所,北京,100083)
摘要:在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生,经俄歇分析,汽泡表面约有10nm的砷层,它从半绝缘砷化镓内部逸出,导致其成为半导体.用阴极荧光形貌观测了其多晶结构.
关键词:砷化镓; 汽泡; 俄歇分析; 阴极荧光;
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