TD处理制备的VC涂层XPS谱与EDS面扫描分析（英文）

来源期刊：稀有金属材料与工程2016年第2期

论文作者：孔德军 王进春 郭皓元

文章页码：297 - 302

关键词：VC涂层;TD处理;结合界面;

摘    要：以无水硼砂、FeV50和FeSi45为主要原料,通过TD和扩散处理在Cr12MoV基体表面制备了VC涂层。利用扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）和能谱分析（EDS）等手段对VC的组织结构和化学元素分布进行了表征。用能谱面扫描分析了VC涂层表面和界面化学元素分布,对其界面冶金结合机理进行了探讨。结果表明,VC涂层为C和V两元素组成的化合物,其中V原子浓度大约是C原子的2倍;VC涂层为单一的VC相,V元素电子结合能位于512.8 e V,C元素电子结合能位于282.2 eV;V、C和Fe等元素在涂层界面处发生了相互扩散,形成了界面扩散层,涂层-基体结合界面为冶金结合方式。