热压烧结SiC/CCTO陶瓷电容器的工艺和性能
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第2期
论文作者：李明亮 张锐 乔建房 陈德良 王海龙 关莉
关键词：陶瓷电容器; CCTO; 热压烧结; 介电性能; ceramic capacitor; CCTO; hot pressing sintering; dielectric property;
摘 要：首先采用固相法合成CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)粉体,与SiC粉体均匀混合后,采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器.采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为,采用XRD、SEM等手段对样品进行表征,研究了SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能,并对其介电机理进行了探讨.结果发现,在950 ℃和 30 MPa的热压条件下制备出的 SiC/CCTO复合陶瓷电容器具有最高的介电常数ε_r≈3×10~8(1 kHz),分析认为其介电机理属于阻挡层机制,载流子在SiC与CCTO界面处聚积,形成空间电荷极化.
李明亮1，张锐1，乔建房1，陈德良1，王海龙1，关莉1
(1.郑州大学,河南,郑州,450001)
摘要:首先采用固相法合成CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)粉体,与SiC粉体均匀混合后,采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器.采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为,采用XRD、SEM等手段对样品进行表征,研究了SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能,并对其介电机理进行了探讨.结果发现,在950 ℃和 30 MPa的热压条件下制备出的 SiC/CCTO复合陶瓷电容器具有最高的介电常数ε_r≈3×10~8(1 kHz),分析认为其介电机理属于阻挡层机制,载流子在SiC与CCTO界面处聚积,形成空间电荷极化.
关键词:陶瓷电容器; CCTO; 热压烧结; 介电性能; ceramic capacitor; CCTO; hot pressing sintering; dielectric property;
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