Ga在裸Si系的扩散模型及掺杂效应分析
来源期刊：稀有金属材料与工程2008年第11期
论文作者：刘秀喜 王公堂
关键词：Ga; 裸Si系; 扩散模型; 掺杂效应;
摘 要：依据Ga在Si中的扩散行为、开管扩Ga系统的特征及扩Ga样品的XPS、EPMA和R<,s>的测试结果分析,提出了Ga在裸Si系的扩散模型,并从机理上分析了Ga的掺杂效应.结果表明:Ga在裸Si系下扩散,易产生合金点、腐蚀坑和"白雾"等缺陷,并造成R<,s>值不均匀.扩Ga产生的缺陷与硅片的导电类型、电阻率大小、晶向和表面光洁度无关.
刘秀喜1，王公堂2
(1.山东师范大学,物理与电子科学学院,山东,济南,250014;
2.山东师范大学,山东,济南,250014)
摘要:依据Ga在Si中的扩散行为、开管扩Ga系统的特征及扩Ga样品的XPS、EPMA和R<,s>的测试结果分析,提出了Ga在裸Si系的扩散模型,并从机理上分析了Ga的掺杂效应.结果表明:Ga在裸Si系下扩散,易产生合金点、腐蚀坑和"白雾"等缺陷,并造成R<,s>值不均匀.扩Ga产生的缺陷与硅片的导电类型、电阻率大小、晶向和表面光洁度无关.
关键词:Ga; 裸Si系; 扩散模型; 掺杂效应;
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