SiC-B4C复合膜的制备及其力学和热电性能
来源期刊：复合材料学报2004年第3期
论文作者：王新华
关键词：碳化硅; 碳化硼; 显微硬度; 热电性能;
摘 要：探索了 SiC-B4C复合膜的热等离子体 PVD(TPPVD)法快速制备,研究了 SiC-B4C复合膜的力学性能和热电性能.实验结果表明:以 SiC和 B4C超细粉为原料的热等离子体PVD(TPPVD)法是快速制备 SiC-B4C复合膜的有效方法.通过控制 SiC和 B4C粉末的供给,可以获得具有层状结构的 SiC-B4C致密优质复合膜,最大沉积速度达356 nm/s,高于常规 PVD和 CVD法两个数量级.膜的硬度随 B4C含量增加而增大,最大显微维氏硬度达到 35 GPa.SiC-B4C复合膜的电阻率和 Seebeck系数随 B4C含量增加而减小.最大 Seebeck系数为 550 μVK-1,在 973 K时最大功率因子达到640 μWm-1K-2,是SiC烧结体的21倍.
王新华1
(1.浙江大学,材料科学与工程系,杭州,310027)
摘要:探索了 SiC-B4C复合膜的热等离子体 PVD(TPPVD)法快速制备,研究了 SiC-B4C复合膜的力学性能和热电性能.实验结果表明:以 SiC和 B4C超细粉为原料的热等离子体PVD(TPPVD)法是快速制备 SiC-B4C复合膜的有效方法.通过控制 SiC和 B4C粉末的供给,可以获得具有层状结构的 SiC-B4C致密优质复合膜,最大沉积速度达356 nm/s,高于常规 PVD和 CVD法两个数量级.膜的硬度随 B4C含量增加而增大,最大显微维氏硬度达到 35 GPa.SiC-B4C复合膜的电阻率和 Seebeck系数随 B4C含量增加而减小.最大 Seebeck系数为 550 μVK-1,在 973 K时最大功率因子达到640 μWm-1K-2,是SiC烧结体的21倍.
关键词:碳化硅; 碳化硼; 显微硬度; 热电性能;
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