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基片温度对Ni80Fe20薄膜结构和各向异性磁电阻的影响

来源期刊:金属功能材料2007年第2期

论文作者:孙文博 陈欢 沙文杰 王合英

关键词:Ni80Fe20薄膜; 基片温度; 结构; 各向异性磁电阻;

摘    要:本文用磁控溅射方法制备出一系列Ni80Fe20磁性薄膜,研究不同基片温度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响.基片温度在150~180 ℃时制备的Ni80Fe20薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量结果表明,基片温度通过改变薄膜的晶体结构、晶粒大小和均匀性等微观结构改变薄膜的零场电阻率和各向异性磁电阻,文章对实验结果做出了详细分析.

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基片温度对Ni80Fe20薄膜结构和各向异性磁电阻的影响

孙文博1,陈欢1,沙文杰1,王合英1

(1.清华大学,物理系,北京,100084)

摘要:本文用磁控溅射方法制备出一系列Ni80Fe20磁性薄膜,研究不同基片温度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响.基片温度在150~180 ℃时制备的Ni80Fe20薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量结果表明,基片温度通过改变薄膜的晶体结构、晶粒大小和均匀性等微观结构改变薄膜的零场电阻率和各向异性磁电阻,文章对实验结果做出了详细分析.

关键词:Ni80Fe20薄膜; 基片温度; 结构; 各向异性磁电阻;

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