离子束外延制备GaAs:Gd薄膜
来源期刊：功能材料2004年第3期
论文作者：杨少延 李艳丽 陈诺夫 宋书林 刘志凯 周剑平 尹志岗
关键词：GaAs:Gd薄膜; 低能离子束外延; GaAs衬底;
摘 要：室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点.俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点.
杨少延1，李艳丽1，陈诺夫1，宋书林1，刘志凯1，周剑平1，尹志岗1
(1.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;
2.中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100080)
摘要:室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点.俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点.
关键词:GaAs:Gd薄膜; 低能离子束外延; GaAs衬底;
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