晶界氧吸附对SrTiO3基压敏陶瓷的作用
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第11期
论文作者：李盛涛 李建英
关键词：SrTiO3陶瓷; 晶界; 压敏电阻;
摘 要：研究了SrTiO3基压敏陶瓷热处理过程中氧的作用.发现SrTiO3基压敏陶瓷的压敏电压U10mA与试样的厚度无关,且随着热处理温度的升高而增大.进一步的试验表明SrTiO3基压敏陶瓷的压敏特性主要受试样表面高阻层的控制.X射线光电子能谱(XPS)的Mn 2p和O 1s谱图表明,表面高阻层是氧在热处理过程中通过晶界的扩散和化学吸附产生的.因此,氧在晶界处的化学吸附是SrTiO3基陶瓷压敏特性产生的根源.
李盛涛1，李建英1
(1.西安交通大学,电力设备电气绝缘国家重点实验室,陕西,西安,710049)
摘要:研究了SrTiO3基压敏陶瓷热处理过程中氧的作用.发现SrTiO3基压敏陶瓷的压敏电压U10mA与试样的厚度无关,且随着热处理温度的升高而增大.进一步的试验表明SrTiO3基压敏陶瓷的压敏特性主要受试样表面高阻层的控制.X射线光电子能谱(XPS)的Mn 2p和O 1s谱图表明,表面高阻层是氧在热处理过程中通过晶界的扩散和化学吸附产生的.因此,氧在晶界处的化学吸附是SrTiO3基陶瓷压敏特性产生的根源.
关键词:SrTiO3陶瓷; 晶界; 压敏电阻;
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