C/SiC-(W-C)多元基复合材料的制备与表征
来源期刊：材料工程2006年第12期
论文作者：张立同 成来飞 徐永东 童长青
关键词：C/SiC-(W-C)复合材料; 多元基体; 溶液浸渍;
摘 要：采用化学气相渗透(CVI)结合溶液浸渍法制备C/SiC-(W-C)多元基复合材料,利用XRD,EDS和SEM技术对材料的物相组成及微观结构进行表征,并对W-C基体的形成机理进行了初步探讨.结果表明:W-C不仅分散在纤维束间,还分散在纤维束内.C/SiC-(W-C)复合材料的密度为3.4g/cm3,开气孔率为11%.
张立同1，成来飞1，徐永东1，童长青1
(1.西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072)
摘要:采用化学气相渗透(CVI)结合溶液浸渍法制备C/SiC-(W-C)多元基复合材料,利用XRD,EDS和SEM技术对材料的物相组成及微观结构进行表征,并对W-C基体的形成机理进行了初步探讨.结果表明:W-C不仅分散在纤维束间,还分散在纤维束内.C/SiC-(W-C)复合材料的密度为3.4g/cm3,开气孔率为11%.
关键词:C/SiC-(W-C)复合材料; 多元基体; 溶液浸渍;
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