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LEC法GaAs单晶生长中热应力分布研究

来源期刊：材料科学与工程学报2005年第4期

论文作者：李明伟陈怀杰刘春梅

关键词：LEG法; 热应力; GaAs单晶;

摘要：采用有限元法对LEC法生长的3英寸GaAs单晶中的热应力进行求解.假设晶体为轴对称的各向同性线弹性体.主要讨论了不同液封厚度、轴向磁场强度以及晶体转速下的流动和传热所对应的晶体中的热应力分布,同时也考察了界面形状对应力的影响.

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李明伟¹，陈怀杰¹，刘春梅¹

(1.重庆大学,动力工程学院,重庆,400044)

摘要:采用有限元法对LEC法生长的3英寸GaAs单晶中的热应力进行求解.假设晶体为轴对称的各向同性线弹性体.主要讨论了不同液封厚度、轴向磁场强度以及晶体转速下的流动和传热所对应的晶体中的热应力分布,同时也考察了界面形状对应力的影响.

关键词:LEG法; 热应力; GaAs单晶;

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