Cu/Ag导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究
来源期刊：功能材料2005年第8期
论文作者：李阳平 张兴刚 孙金池 崔虎 刘正堂
关键词：Cu/Ag导电薄膜; Cd0.9Zn0.1Te晶体; 接触; 磁控溅射;
摘 要：采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能.讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降.通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流.对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃.利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响.
李阳平1，张兴刚1，孙金池1，崔虎1，刘正堂1
(1.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072)
摘要:采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能.讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降.通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流.对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃.利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响.
关键词:Cu/Ag导电薄膜; Cd0.9Zn0.1Te晶体; 接触; 磁控溅射;
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