GaAs多量子阱的光电流谱
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：黄绮 程兴奎 周均铭
关键词：GaAs量子阱; 光电流; 电子干涉;
摘 要：在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关.
黄绮1，程兴奎2，周均铭1
(1.中国科学院物理研究所,北京100080;
2.山东大学光电材料与器件研究所,山东250100)
摘要:在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关.
关键词:GaAs量子阱; 光电流; 电子干涉;
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