高硅铁尾矿合成SiC粉体技术研究
来源期刊：材料导报2010年第2期
论文作者：郝洪顺 徐利华 何芳 杨剑英 仉小猛
关键词：高硅铁尾矿; SiC粉体; 碳热还原; iron railings; silicon carbide powders; carbothermal reduction;
摘 要：以高硅铁尾矿为主要原料,利用碳热还原法合成了SiC粉体.分析了合成过程的反应机理,探讨了配碳量和合成温度对合成过程的影响.结果表明,最终产物中β-SiC为主晶相,Fe_xSi_y为次晶相;影响合成SiC粉体最主要的因素是配碳量,其次是反应温度;在保证配碳过量的情况下,保温时间和氩气流量对合成产物的影响不是很明显;产物晶粒存在多种几何形状,其中SiC晶粒多以片状、柱状、球状形式存在,并且晶粒表面比较光滑,晶粒的尺寸分布不均匀.合成SiC的最佳工艺参数为:n(C):n(SiO_2)=5,合成温度1500℃,恒温时间8h,氩气流量0.6L/min.
郝洪顺1，徐利华1，何芳2，杨剑英1，仉小猛1
(1.北京科技大学无机非金属材料系,北京,100083;
2.中国石油天然气集团,北京,100011)
摘要:以高硅铁尾矿为主要原料,利用碳热还原法合成了SiC粉体.分析了合成过程的反应机理,探讨了配碳量和合成温度对合成过程的影响.结果表明,最终产物中β-SiC为主晶相,Fe_xSi_y为次晶相;影响合成SiC粉体最主要的因素是配碳量,其次是反应温度;在保证配碳过量的情况下,保温时间和氩气流量对合成产物的影响不是很明显;产物晶粒存在多种几何形状,其中SiC晶粒多以片状、柱状、球状形式存在,并且晶粒表面比较光滑,晶粒的尺寸分布不均匀.合成SiC的最佳工艺参数为:n(C):n(SiO_2)=5,合成温度1500℃,恒温时间8h,氩气流量0.6L/min.
关键词:高硅铁尾矿; SiC粉体; 碳热还原; iron railings; silicon carbide powders; carbothermal reduction;
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