巨介电常数陶瓷CaCu₃Ti₄O₁₂的研究进展

宋江¹，成鹏飞¹，王秋萍¹，余花娃¹，李盛涛²，李建英²

1. 西安工程大学理学院2. 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室

摘 要：CaCu₃Ti₄O₁₂（CCTO）陶瓷具有高介电常数和高热稳定性,这使得CCTO可能在高密度信息储存、高介电电容器、大规模集成电路等领域获得广泛使用。系统地介绍了CCTO高介电常数起源的内禀机制和外禀机制,详细归纳了元素掺杂对CCTO介电特性的影响,阐述了巨介电常数与本征点缺陷的内在关联,肯定了晶粒电导赝极化理论,指出了CCTO巨介电常数陶瓷研究的重点在于:基于外禀机制的IBLC模型,通过晶胞掺杂或晶界掺杂改变晶粒或者晶界的电导,进而调控CCTO的介电损耗,使CCTO保持较高介电常数的前提下,在很宽的频率范围内使介电损耗正切值降低到0.1以下。

关键词：CaCu3Ti4O12;巨介电常数;介电损耗;