Ti3SiC2陶瓷颗粒表面超声波化学镀铜
来源期刊：金属功能材料2006年第6期
论文作者：袁传勇 许少凡 张中宝
关键词：化学镀; Ti3SiC2; 超声波; 界面结合力;
摘 要：钛碳化硅(Ti3SiC2)陶瓷导电材料有许多优异的性能,其摩擦系数甚至比石墨更低,完全可以取代石墨用来制备性能更加优良的铜基电接触复合材料,但是由于其与铜基体之间的浸润性不是很好,研究了利用超声波化学镀覆技术在Ti3SiC2颗粒表面均匀镀上一层连续的铜镀层.通过扫描电子显微镜对铜镀层表面形貌的观察表明:通过严格的镀前预处理工艺的优化设计以增加活化点,对传统镀液配方的调整以降低镀速,能够成功的在Ti3SiC2颗粒表面均匀镀覆一层铜微粒,改善了Ti3SiC2和铜基体间的润湿性,从而增强二者之间的界面结合力.
袁传勇1，许少凡1，张中宝1
(1.合肥工业大学,材料科学与工程学院,合肥,230009)
摘要:钛碳化硅(Ti3SiC2)陶瓷导电材料有许多优异的性能,其摩擦系数甚至比石墨更低,完全可以取代石墨用来制备性能更加优良的铜基电接触复合材料,但是由于其与铜基体之间的浸润性不是很好,研究了利用超声波化学镀覆技术在Ti3SiC2颗粒表面均匀镀上一层连续的铜镀层.通过扫描电子显微镜对铜镀层表面形貌的观察表明:通过严格的镀前预处理工艺的优化设计以增加活化点,对传统镀液配方的调整以降低镀速,能够成功的在Ti3SiC2颗粒表面均匀镀覆一层铜微粒,改善了Ti3SiC2和铜基体间的润湿性,从而增强二者之间的界面结合力.
关键词:化学镀; Ti3SiC2; 超声波; 界面结合力;
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