SiNx钝化膜厚度对pHEMT的性能影响
来源期刊:功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者:李洪芹 夏冠群 孙晓玮
关键词:AlGaAs/InGaAs/GaAs; pHEMT; SiNx钝化;
摘 要:深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响,实验结果表明,pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降;当膜厚超过200nm时,将影响pHEMT器件电特性.
李洪芹1,夏冠群1,孙晓玮1
(1.中国科学院上海冶金研究所,上海200050)
摘要:深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响,实验结果表明,pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降;当膜厚超过200nm时,将影响pHEMT器件电特性.
关键词:AlGaAs/InGaAs/GaAs; pHEMT; SiNx钝化;
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