Sn晶须生长的双应力区模型

来源期刊：稀有金属材料与工程2012年第S2期

论文作者：郝虎 郭福 徐广臣 史耀武

文章页码：59 - 62

关键词：SnAgCu钎料;稀土Er;Sn晶须;生长模型;

摘    要：利用FIB(Focused Ion Beam)将发生氧化的稀土相ErSn3剖开,研究其表面Sn晶须的生长机制。结果表明:时效过程中稀土相ErSn3发生了不均匀氧化,在其内部形成了大量的"快速氧化通道"及"氧化区"。由于在Sn晶须的根部及附近同时存在两个"氧化区",且它们通过"快速氧化通道"相连。因此,提出了Sn晶须生长的"双压应力区"模型,即Sn晶须的生长需要形成两个压应力区,其根部的"低压应力区"将为Sn晶须的形成提供驱动力,而"高压应力区"将为Sn晶须的生长提供Sn原子。