氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化
来源期刊：工程科学学报2010年第6期
论文作者：武明 黄海友 褚武扬 乔利杰
文章页码：782 - 786
关键词：铁电陶瓷;氢;导电性;第一性原理计算;
摘 要：通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb（Zr0.5-Ti0.5）O3晶格的H质量分数等于临界值（96×10-6）时,[Pb（Zr0.5Ti0.5）O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb（Zr0.5Ti0.5）O3]nH系统变成了导体.
武明，黄海友，褚武扬，乔利杰
北京科技大学材料科学与工程学院
摘 要：通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb（Zr0.5-Ti0.5）O3晶格的H质量分数等于临界值（96×10-6）时,[Pb（Zr0.5Ti0.5）O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb（Zr0.5Ti0.5）O3]nH系统变成了导体.
关键词：铁电陶瓷;氢;导电性;第一性原理计算;
