考虑自热效应的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管建模与仿真

姜霞^1,2，赵正平²，张志国²，骆新江³，杨瑞霞¹，冯志红²

1. 河北工业大学信息工程学院2. 中国电子科技集团公司第13研究所3. 杭州电子科技大学电子信息学院

摘 要：基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I-V特性的解析模型。通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计。

关键词：AlGaN/GaN;高电子迁移率晶体管;解析模型;自热效应;直流I-V特性;