等通道转角挤压及后续热处理对Cu-Al-Be-B形状记忆合金内耗行为的影响（英文）

张萍¹，马爱斌²，刘冠国³，芦笙⁴，朱劲松⁵，林萍华²，江静华²

1. 东南大学江苏省土木工程材料重点实验室2. 河海大学3. 江苏省交通科学研究院长大桥梁健康检测与诊断技术交通行业重点实验室4. 江苏科技大学5. 南京大学固体微结构物理国家重点实验室

摘 要：用等通道转角挤压法对 Cu-Al-Be-B 形状记忆合金进行了晶粒细化,并通过内耗实验（IF）对合金晶粒细化前后的内耗性能做了测试和分析。内耗循环测试结果表明,由于晶粒尺寸及其亚结构的细化,晶粒细化后的合金相变内耗峰 IF1比铸态合金低。但是,晶粒细化后合金的 IF1具有较好的稳定性,这是由于马氏体相的增多、晶界的净化和位错密度降低所致。进一步分析表明,IF1是由相变带来的体积变化和相界面的运动引起。在较低温度区间,出现了由马氏体孪晶畴的细化/粗化和亚结构运动引起的内耗峰。

关键词：形状记忆合金;等通道转角挤压;晶粒细化;内耗;