相变存储器中选通二极管的模型与优化

李宜瑾^1,2，凌云³，宋志棠³，贾晓玲¹，罗胜钦¹

1. 同济大学电子与信息工程学院2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,纳米技术研究室3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,纳米技术研究室

摘 要：设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器（PCM）中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V。文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流。

关键词：相变存储器;选通二极管;数值模拟;