Sn量子点的研究进展
来源期刊：材料导报2010年第S1期
论文作者：赵希磊 王科范 张伟风 顾玉宗
文章页码：74 - 160
关键词：Sn量子点;生长技术;光学性质;电学性质;理论计算;
摘 要：Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等,具有重要的研究意义。介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术,综述了Sn量子点的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果,指出了Sn量子点研究面临的关键问题以及研究方向。
赵希磊，王科范，张伟风，顾玉宗
河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室
摘 要：Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等,具有重要的研究意义。介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术,综述了Sn量子点的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果,指出了Sn量子点研究面临的关键问题以及研究方向。
关键词：Sn量子点;生长技术;光学性质;电学性质;理论计算;
