高性能In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器的研制
来源期刊：功能材料与器件学报2002年第1期
论文作者：张永刚 陈意桥 刘家洲 李爱珍 南矿军 税琼
关键词：光电探测器; 分子束外延; In0.53Ga0.47As;
摘 要：报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能.在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps.对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论.
张永刚1，陈意桥1，刘家洲1，李爱珍1，南矿军1，税琼1
(1.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050)
摘要:报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能.在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps.对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论.
关键词:光电探测器; 分子束外延; In0.53Ga0.47As;
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