单分散SiO2胶体球制备及其胶体晶体组装
来源期刊：功能材料与器件学报2007年第4期
论文作者：程冰 方俊 王秀峰
关键词：光子晶体; 胶体晶体; 垂直沉积法; SiO2胶体球; 表面电荷密度;
摘 要：运用胶体化学法在乙醇介质中合成SiO2胶体球,将制得的样品在30℃下用双氧水浸泡处理48h.用扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外光谱(FT-TR)、Zeta电位仪和标准氢氧化钠滴定法对其形貌、结构和表面电学性质进行分析.结果表明样品平均粒径为292nm,平均标准偏差小于5%;经双氧水浸泡处理后,SiO2胶体球表面羟基数目增多,在水溶液中的Zeta电位从-55.72mV提高到-63.26mV,表面电荷密度从0.19μC/cm2提高到0.28μC/cm2.通过垂直沉积法,在40℃和60%相对湿度条件下制备出有序性较好、密排结构的SiO2胶体晶体.在SEM下,观察到这种胶体晶体是面心立方(fcc)密排结构,其(111)晶面平行于基底.透射光谱表明,所制备的胶体晶体在(111)方向具有光子晶体的不完全带隙性质.
程冰1，方俊1，王秀峰1
(1.陕西科技大学材料科学与工程学院,陕西,咸阳,712081)
摘要:运用胶体化学法在乙醇介质中合成SiO2胶体球,将制得的样品在30℃下用双氧水浸泡处理48h.用扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外光谱(FT-TR)、Zeta电位仪和标准氢氧化钠滴定法对其形貌、结构和表面电学性质进行分析.结果表明样品平均粒径为292nm,平均标准偏差小于5%;经双氧水浸泡处理后,SiO2胶体球表面羟基数目增多,在水溶液中的Zeta电位从-55.72mV提高到-63.26mV,表面电荷密度从0.19μC/cm2提高到0.28μC/cm2.通过垂直沉积法,在40℃和60%相对湿度条件下制备出有序性较好、密排结构的SiO2胶体晶体.在SEM下,观察到这种胶体晶体是面心立方(fcc)密排结构,其(111)晶面平行于基底.透射光谱表明,所制备的胶体晶体在(111)方向具有光子晶体的不完全带隙性质.
关键词:光子晶体; 胶体晶体; 垂直沉积法; SiO2胶体球; 表面电荷密度;
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