金的CIP/CIL回路中最佳氰氧比的确定

来源期刊：现代矿业1999年第24期

论文作者：A.R.希思 J.A.拉姆鲍尔 徐修平

文章页码：7 - 10

关键词：氰化物;氧金;浸出;最佳条件;

摘    要：给出了一种确定金的CIP/CIL回路中最佳氰氧比的新方法。将一个Au（96%）/Ag（4%）合金盘状旋转电极放入浸出矿浆中,根据参比电极以测得其腐蚀电位。电极在矿浆中旋转以加快电极表面的氰化物和（或）氧的扩散速率,再测定电极的腐蚀电位。如果旋转时电位变得越正,那么金的浸出则受缺氧的制约,也就是说,反应受氧的扩散控制。如果电位变得越负,那么浸出则受氰化物不足的制约。最佳氰氧比近似为:NaCN∶O₂=10.5ppm∶1ppm （摩尔比为6.9∶1）,如果其中的某种药剂过量,那么其过量部分就基本浪费了,这时要么减少过量的药剂,以减少药剂消耗,要么加入缺少的药剂,使浸出速度加快。