快速光热退火制备硅基锗薄膜的机理研究
来源期刊：功能材料2018年第4期
论文作者：王从杰 陈诺夫 魏立帅 陶泉丽 贺凯 张航 白一鸣 陈吉堃
文章页码：4179 - 4183
关键词：硅基锗薄膜;常规热退火;快速光热退火;光量子效应;
摘 要：采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积Ge薄膜。采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续处理。通过X射线衍射及Raman光谱测试,研究不同退火条件下薄膜的晶化情况,揭示了光子在薄膜晶化中的作用。研究表明,光量子效应对锗薄膜晶化既有晶化作用,也有退晶化作用。
王从杰1，陈诺夫1，魏立帅1，陶泉丽1，贺凯1，张航1，白一鸣1，陈吉堃2
1. 华北电力大学可再生能源学院2. 北京科技大学材料学院
摘 要：采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积Ge薄膜。采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续处理。通过X射线衍射及Raman光谱测试,研究不同退火条件下薄膜的晶化情况,揭示了光子在薄膜晶化中的作用。研究表明,光量子效应对锗薄膜晶化既有晶化作用,也有退晶化作用。
关键词：硅基锗薄膜;常规热退火;快速光热退火;光量子效应;
