Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究
来源期刊：功能材料与器件学报2002年第2期
论文作者：夏冠群 王嘉宽 李冰寒 周健 郝幼申 刘文超
关键词：退火; 热扩散; 薄膜电阻;
摘 要：对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致.为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴.
夏冠群1，王嘉宽1，李冰寒1，周健1，郝幼申1，刘文超1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,固态元器件实验室,上海200050)
摘要:对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致.为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴.
关键词:退火; 热扩散; 薄膜电阻;
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