化学气相沉积SiC膜{111}取向生长的原子尺度模拟

罗贤¹，杨延清¹，任晓霞¹，黄斌¹，刘翠霞¹，张荣军¹

(1.西北工业大学,材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安,710072)

摘要:在化学气相沉积SiC膜过程中,分别考虑了化学反应的动力学以及基底表面原子的沉积与扩散,利用动力学蒙特卡罗方法,建立了SiC膜[111]取向的三维原子尺度模型,使用MATLAB模拟了原子尺度的SiC膜[111]取向生长过程.模拟结果表明:膜的生长经历了小岛的生成、小岛的合并与扩展、小岛间达到动态平衡三个阶段.随着温度的升高,膜的生长速率、表面粗糙度以及膜的厚度都增大.随着生长速率的增大,表面粗糙度增大,相对密度减小.模拟结果与理论和实验具有较好的吻合性.

关键词:化学气相沉积; SiC膜; 动力学Monte; Carlo模拟; 表面粗糙度; 相对密度;

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