退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响
来源期刊：功能材料2004年增刊第1期
论文作者：刘佩尧 刘洪图 龚明 郭嘉 许小亮 王燎原 陈滢滢 郭海 张慰萍
关键词：退火; sol-gel; SiO2薄膜; 膜厚; 折射率;
摘 要：用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究了退火对透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细的理论解释.
刘佩尧1，刘洪图1，龚明1，郭嘉1，许小亮1，王燎原1，陈滢滢1，郭海1，张慰萍1
(1.中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026;
2.中国科学技术大学,化学物理系,安徽,合肥,230026)
摘要:用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究了退火对透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细的理论解释.
关键词:退火; sol-gel; SiO2薄膜; 膜厚; 折射率;
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