直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜
来源期刊：无机材料学报2003年第2期
论文作者：高濂 李景国 姜洪波
关键词：直接氮化法; 纳米晶TiN薄膜; TiO2薄膜;
摘 要：首先采用溶胶-凝胶法在Al2O3基体上制备了TiO2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al2O3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h.
高濂1，李景国1，姜洪波1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050)
摘要:首先采用溶胶-凝胶法在Al2O3基体上制备了TiO2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al2O3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h.
关键词:直接氮化法; 纳米晶TiN薄膜; TiO2薄膜;
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