晶体AlCrTaTiNi高熵合金薄膜

张立东¹，刘春海²，孙化冬¹，张伟¹

1. 四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术重点实验室2. 四川理工学院材料与化学工程学院材料腐蚀与防护四川省重点实验室

摘 要：用多靶射频磁控溅射技术,在纯氩气氛中不同溅射功率(40～100W)下在Si(100)基底上制备晶体AlCrTaTiNi高熵合金薄膜。同时用四点探针(FPP)X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及其附带的能谱分析仪对薄膜的电性能和微结构进行表征。分析结果表明AlCrTaTiNi高熵合金薄膜在溅射功率为80W时的晶粒尺寸最大,电阻率最低,为160μΩ.cm左右。同时截面SEM形貌显示形成的晶体并非柱状晶体。

关键词：高熵合金;晶粒尺寸;溅射功率;膜厚;