PECVD非晶SiO2薄膜的红外吸收特性研究
来源期刊：功能材料2002年第1期
论文作者：何乐年
关键词：非晶SiO2薄膜; PECVD; 红外光谱; Si-O-Si键;
摘 要：用傅里叶红外吸收(FT-IR)光谱研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备的非晶siO2薄膜(a-SiO2)的Si-(O-Si键的红外吸收特性与膜厚的关系.Si-O-Si伸缩振动模在1050cm-1和1150cm-1附近分别有两个吸收峰,弯曲振动模在800cm-1附近有一个吸收峰.1050cm-1和1150cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加,而800cm-1吸收带的积分强度不随膜层的递增而变化.因此我们推测薄膜密度不随膜厚而变化,1050cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加的原因是由于1150 cm-1吸收带对1050cm-1吸收带的影响.另外,800cm-1和1050cm-1这两个吸收峰的表观吸收系数αapp被发现和膜厚d成正比:αapp=k×d.利用αapp和d的正比关系,PECVD a-SiO2的膜厚可用非破坏性的FT-IR快速方便地测定.
何乐年1
(1.浙江大学信息与电子工程学系,浙江,杭州,310027;
2.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
摘要:用傅里叶红外吸收(FT-IR)光谱研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备的非晶siO2薄膜(a-SiO2)的Si-(O-Si键的红外吸收特性与膜厚的关系.Si-O-Si伸缩振动模在1050cm-1和1150cm-1附近分别有两个吸收峰,弯曲振动模在800cm-1附近有一个吸收峰.1050cm-1和1150cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加,而800cm-1吸收带的积分强度不随膜层的递增而变化.因此我们推测薄膜密度不随膜厚而变化,1050cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加的原因是由于1150 cm-1吸收带对1050cm-1吸收带的影响.另外,800cm-1和1050cm-1这两个吸收峰的表观吸收系数αapp被发现和膜厚d成正比:αapp=k×d.利用αapp和d的正比关系,PECVD a-SiO2的膜厚可用非破坏性的FT-IR快速方便地测定.
关键词:非晶SiO2薄膜; PECVD; 红外光谱; Si-O-Si键;
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