化学腐蚀法制备ZnO量子点及其光学性质研究
来源期刊：材料导报2014年第S2期
论文作者：赵希磊 王科范 张伟风
文章页码：27 - 29
关键词：ZnO量子点;化学腐蚀法;PL谱;TEM图像;
摘 要：采用化学腐蚀法调节ZnO量子点尺寸,并成功观察到量子限制效应。实验结果表明,在未添加表面活性剂样品的PL谱上未观察到发光峰的移动;而添加表面活性剂后,ZnO量子点样品的发光峰随尺寸减小而蓝移,出现了明显的量子限制效应。另外,PL谱中的带隙增加量与采用有效质量模型的理论计算结果一致。
赵希磊1，王科范2，张伟风2
1. 安徽省地震局2. 河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室
摘 要：采用化学腐蚀法调节ZnO量子点尺寸,并成功观察到量子限制效应。实验结果表明,在未添加表面活性剂样品的PL谱上未观察到发光峰的移动;而添加表面活性剂后,ZnO量子点样品的发光峰随尺寸减小而蓝移,出现了明显的量子限制效应。另外,PL谱中的带隙增加量与采用有效质量模型的理论计算结果一致。
关键词：ZnO量子点;化学腐蚀法;PL谱;TEM图像;
