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金刚石薄膜在氧化铝陶瓷上低压成核

来源期刊：无机材料学报2002年第4期

论文作者：夏义本方志军王林军居建华杨莹张伟丽范轶敏王志明

关键词：金刚石薄膜; MPCVD; 氧化铝陶瓷; 系统压强; 成核;

摘要：在微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提出一种MPCVD系统中金刚石成核的动力学模型,并指出对应于最高成核密度有一临界压强存在.

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夏义本¹，方志军¹，王林军¹，居建华¹，杨莹¹，张伟丽¹，范轶敏¹，王志明¹

(1.上海大学材料科学与工程学院,上海,201800)

摘要:在微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提出一种MPCVD系统中金刚石成核的动力学模型,并指出对应于最高成核密度有一临界压强存在.

关键词:金刚石薄膜; MPCVD; 氧化铝陶瓷; 系统压强; 成核;

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