Al-Mg-Si合金GP区强化作用的价电子结构分析
来源期刊:轻金属2008年第8期
论文作者:胡益丰 沈大华 邓文
文章页码:55 - 58
关键词:Al-Mg-Si合金;GP区;价电子结构;
摘 要:运用固体经验电子理论,对Al-Mg-Si合金GP区(L10型)的价电子结构进行了计算。结果表明:GP区晶胞最强键和次强键上的共价电子数远比纯Al晶胞的最强键共价电子数多,其主键络骨架对合金键络起到增强作用,使得位错运动难以切割,从而提高了合金的硬度。以Mg原子为中心的共价键络在GP区生长时起到主导作用,生成较强的Mg-Mg键和Mg-Si键。由于细小共格的GP区大量均匀脱溶沉淀提升了基体的整体键络强度,同样对合金产生强化作用。
胡益丰1,沈大华1,邓文2
1. 江苏技术师范学院数理学院2. 广西大学物理科学与工程技术学院
摘 要:运用固体经验电子理论,对Al-Mg-Si合金GP区(L10型)的价电子结构进行了计算。结果表明:GP区晶胞最强键和次强键上的共价电子数远比纯Al晶胞的最强键共价电子数多,其主键络骨架对合金键络起到增强作用,使得位错运动难以切割,从而提高了合金的硬度。以Mg原子为中心的共价键络在GP区生长时起到主导作用,生成较强的Mg-Mg键和Mg-Si键。由于细小共格的GP区大量均匀脱溶沉淀提升了基体的整体键络强度,同样对合金产生强化作用。
关键词:Al-Mg-Si合金;GP区;价电子结构;