PECVD法生长氮化硅工艺的研究
来源期刊：功能材料2007年第5期
论文作者：吴清鑫 陈光红 罗仲梓 于映
关键词：PECVD; 氮化硅; 聚酰亚胺; 残余应力; 射频MEMS开关;
摘 要：采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.
吴清鑫1，陈光红1，罗仲梓2，于映3
(1.苏州市职业大学,电子信息工程系,江苏,苏州,215104;
2.厦门大学,萨本栋微机电研究中心,福建,厦门,361005;
3.福州大学,物理与电信工程学院,福建,福州,350002)
摘要:采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.
关键词:PECVD; 氮化硅; 聚酰亚胺; 残余应力; 射频MEMS开关;
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