Ta掺杂IrO2活性氧化物电子结构的DFT分析
来源期刊：贵金属2016年第4期
论文作者：敬熠平 念保峰 王欣 刘雪华 邱宇 周扬杰 林玮 唐电
文章页码：15 - 20
关键词：金属材料;密度泛函理论;(Ir,Ta)O2;晶体结构;Bader布居;电荷密度;
摘 要：Ta掺杂的Ir-Ta-O是电化学工业中具有代表意义的电极材料。采用基于密度泛函理论（DFT）的投影缀加平面波中的广义梯度近似方法,对金红石型Ir8O16和Ta掺杂的Ir7Ta1O16复合氧化物的晶体和电子结构进行计算。结果表明,Ir O2的结构数据与文献报导相吻合。掺Ta的Ir7Ta1O16存在2种不同结构,二者晶体结构参数、系统总能和电子结构很接近。Ta掺杂可使Ir8O16晶胞体积增大,使体系相对稳定。掺Ta的（Ir,Ta）O2与Ir O2类似,也体现金属的导电特性。Ta原子比Ir原子失电子能力强,掺杂后Ta原子周围的电子向O原子转移,为体系提供了更多的离子键。
敬熠平1，念保峰1，王欣1，刘雪华2，邱宇3，周扬杰3，林玮2，唐电1,2
1. 福州大学材料科学与工程学院2. 福州大学材料研究所3. 福建省冶金工业研究所
摘 要：Ta掺杂的Ir-Ta-O是电化学工业中具有代表意义的电极材料。采用基于密度泛函理论（DFT）的投影缀加平面波中的广义梯度近似方法,对金红石型Ir8O16和Ta掺杂的Ir7Ta1O16复合氧化物的晶体和电子结构进行计算。结果表明,Ir O2的结构数据与文献报导相吻合。掺Ta的Ir7Ta1O16存在2种不同结构,二者晶体结构参数、系统总能和电子结构很接近。Ta掺杂可使Ir8O16晶胞体积增大,使体系相对稳定。掺Ta的（Ir,Ta）O2与Ir O2类似,也体现金属的导电特性。Ta原子比Ir原子失电子能力强,掺杂后Ta原子周围的电子向O原子转移,为体系提供了更多的离子键。
关键词：金属材料;密度泛函理论;(Ir,Ta)O2;晶体结构;Bader布居;电荷密度;
