以Zn(NH4)3Cl5为输运剂气相生长ZnSe单晶
来源期刊：材料研究学报2003年第4期
论文作者：介万奇 李焕勇
关键词：无机非金属材料,ZnSe体单晶,化学气相输运技术,Zn(NH4)3Cl5,输运剂;
摘 要：以化合物Zn(NH4)3Cl5为气相输运剂,ZnSe多晶为原料,用化学气相输运技术(CVT)在封闭石英管中生长出直径9 m m、长度25 mm的Zn1+0 031Se单晶晶体生长区的温度为898～915℃,温度梯度为1.5℃@cm-1,生长周期为21 d.晶体生长端由{111}和{100}单形包围.用RO-XRD技术研究了晶体的结晶质量,ZnSe(111)的RO-XRD谱的FWHM为24 s.光致发光特性研究表明,Zn1+0.031Se单晶体的PL谱由Fx(439 nm)和BBT(418 nm)等发光峰组成,晶体的短波吸收限位于465 nm处,腐蚀点密度为(5～7)×104cm-2.化合物Zn(NH4)3Cl5具有较高的热稳定性,是一种适合气相生长ZnSe单晶的新型输运剂.
介万奇1，李焕勇1
(1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室)
摘要:以化合物Zn(NH4)3Cl5为气相输运剂,ZnSe多晶为原料,用化学气相输运技术(CVT)在封闭石英管中生长出直径9 m m、长度25 mm的Zn1+0 031Se单晶晶体生长区的温度为898～915℃,温度梯度为1.5℃@cm-1,生长周期为21 d.晶体生长端由{111}和{100}单形包围.用RO-XRD技术研究了晶体的结晶质量,ZnSe(111)的RO-XRD谱的FWHM为24 s.光致发光特性研究表明,Zn1+0.031Se单晶体的PL谱由Fx(439 nm)和BBT(418 nm)等发光峰组成,晶体的短波吸收限位于465 nm处,腐蚀点密度为(5～7)×104cm-2.化合物Zn(NH4)3Cl5具有较高的热稳定性,是一种适合气相生长ZnSe单晶的新型输运剂.
关键词:无机非金属材料,ZnSe体单晶,化学气相输运技术,Zn(NH4)3Cl5,输运剂;
【全文内容正在添加中】
