氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能
来源期刊：功能材料与器件学报2008年第4期
论文作者：谢二庆 叶凡 周明 王晓明 段辉高
关键词：直流溅射; HfNxOy薄膜; 场致电子发射;
摘 要：利用直流溅射法在Si、Zn、Ni三种不同衬底上沉积HfNxOy薄膜并测试了其场发射性能.扫描电子显微镜(SEM)显示HfNxOy薄膜表面由纳米颗粒组成,X射线衍射(XRD)说明薄膜中含有HfN和HfO2两种相.场发射测试结果显示,和金属衬底上的薄膜相比,Si衬底上的薄膜的开启电场小且发射电流密度大.文中对三种衬底上发射电流密度大小不同的原因进行了讨论.电流一时间的对应关系说明HfNxOy薄膜的场发射电流稳定.
谢二庆1，叶凡1，周明1，王晓明1，段辉高1
(1.兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000)
摘要:利用直流溅射法在Si、Zn、Ni三种不同衬底上沉积HfNxOy薄膜并测试了其场发射性能.扫描电子显微镜(SEM)显示HfNxOy薄膜表面由纳米颗粒组成,X射线衍射(XRD)说明薄膜中含有HfN和HfO2两种相.场发射测试结果显示,和金属衬底上的薄膜相比,Si衬底上的薄膜的开启电场小且发射电流密度大.文中对三种衬底上发射电流密度大小不同的原因进行了讨论.电流一时间的对应关系说明HfNxOy薄膜的场发射电流稳定.
关键词:直流溅射; HfNxOy薄膜; 场致电子发射;
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