磁控溅射法制备HfO₂薄膜及电阻转变特性研究（英文）

来源期刊：稀有金属材料与工程2014年第1期

论文作者：李艳艳 刘正堂 谭婷婷

文章页码：24 - 27

关键词：磁控溅射法;HfOx薄膜;电阻转变特性;双极性;

摘    要：采用磁控溅射法,以ITO/Glass为衬底,制备了具有电阻转变特性的HfO2薄膜。X射线光电子能谱(XPS)分析发现,薄膜中的Hf、O元素不成化学计量比,薄膜中可能存在大量氧空位。电学测试结果表明,HfO2薄膜表现出明显的双极电阻转变特性,并且表现出良好的可靠性(室温下可重复测试102次以上)和稳定的保持性能(0.5 V偏压下保持104 s以上),高低阻态比值达到104。基于XPS以及电学分析,薄膜的导电过程可用与氧空位相关的空间电荷限制电流模型解释。