高性能HfAlO介质薄膜的制备
来源期刊：稀有金属材料与工程2006年第8期
论文作者：宋朝瑞 程新红 俞跃辉
关键词：HfAlO膜; 高介电常数栅介质; 电子束蒸发; hf-aluminate film; high k gate dielectric; EB-PVD;
摘 要：利用超高真空电子束蒸发法制备了可替代SiO2作为栅介质的HfAlO膜.薄膜的化学组成为(HfO2)(Al2O3)2,900℃退火处理后仍然呈现非晶状态,而且表面平滑.介电常数为12.7,等效氧化物厚度2 nm,固定电荷密度4×1012cm-2,2 C栅偏压下漏电流为0.04 m A/cm2.后退火处理能有效降低固定电荷密度和泄漏电流密度,但会造成界面SiO2的生长.
宋朝瑞1，程新红1，俞跃辉1
(1.中国科学院微系统与信息技术研究所,上海 200050)
摘要:利用超高真空电子束蒸发法制备了可替代SiO2作为栅介质的HfAlO膜.薄膜的化学组成为(HfO2)(Al2O3)2,900℃退火处理后仍然呈现非晶状态,而且表面平滑.介电常数为12.7,等效氧化物厚度2 nm,固定电荷密度4×1012cm-2,2 C栅偏压下漏电流为0.04 m A/cm2.后退火处理能有效降低固定电荷密度和泄漏电流密度,但会造成界面SiO2的生长.
关键词:HfAlO膜; 高介电常数栅介质; 电子束蒸发; hf-aluminate film; high k gate dielectric; EB-PVD;
【全文内容正在添加中】
