硫脲在10-甲基吩噻嗪修饰碳糊电极上的电催化氧化及电分析方法研究

来源期刊：分析试验室2009年第7期

论文作者：王春梅 高作宁

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关键词：硫脲;10-甲基吩噻嗪;碳糊修饰电极;电催化氧化;电化学动力学;

摘    要：研究了硫脲（Thiourea,Tu）在10-甲基吩噻嗪修饰碳糊电极（MPT/CPE）上的电催化氧化行为。结果表明,Tu在裸碳糊电极（CPE）上的直接电化学氧化过程十分迟缓,MPT/CPE对Tu的电化学氧化具有良好的催化作用。用计时电流法（CA）测定了Tu在MPT/CPE上的电极过程动力学参数,测得电荷传递系数α=0.61,电催化氧化反应的速率常数k=（1.96±0.10）×104（mol/L）-1.s-1。用方波伏安法（SWV）测得催化氧化峰电流与Tu浓度在1.0×10-6⁸.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,线性回归方程为Ipa（μA）=10.836c（10-3mol/L）+5.326,R=0.9984,检出限为2.2×10-7mol/L（S/N=3）。方法可用于Tu的电化学法测定。