简介概要

重构表面上Si薄膜生长的模拟研究

来源期刊：材料导报2007年增刊第2期

论文作者：杨瑞东王全彪杨宇王茺

关键词：Si薄膜生长; 动力学蒙特卡罗; 岛密度; 成岛温度;

摘要：建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高,并满足函数关系T=T0+bln(F+c).

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杨瑞东¹，王全彪¹，杨宇¹，王茺¹

(1.云南大学工程技术研究院,昆明,650091;
2.红河学院物理系,蒙自,661100)

摘要:建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高,并满足函数关系T=T0+bln(F+c).

关键词:Si薄膜生长; 动力学蒙特卡罗; 岛密度; 成岛温度;

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