合成条件对纳米SiC介电性能的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年增刊第1期
论文作者：李智敏 罗发 苏晓磊 朱冬梅 周万城
关键词：碳化硅; 复介电常数; 碳热-还原; 溶胶-凝胶; 掺杂;
摘 要：;用蔗糖、SiO2、Al2O3溶胶,利用碳热还原法合成了碳化硅粉体.研究结果表明,在1450℃有少量碳化硅合成.随着合成温度的提高,合成产物逐步由非晶态转化碳化硅;随着合成产物中碳化硅含量的升高,合成粉末的复介电常数增大.与合成的纯碳化硅相比,添加少量Al2O3溶胶后合成的碳化硅的复介电常数明显升高,其原因在于Al、O分别替代Si、C,导致SiC晶格中出现带电缺陷所致.在N2气氛中合成的碳化硅的复介电常数明显高于Ar气氛中合成的SiC的复介电常数,这是由于N原子固溶到SiC晶格中产生带电缺陷引起的.添加较多Al2O3溶胶后,合成产物的复介电常数的实部、虚部低于添加少量Al2O3溶胶时的合成产物的复介电常数的实部、虚部.分析认为,添加较多Al2O3溶胶后,合成产物中出现一定数量的Al2O3,它的复介电常数的实部、虚部均低于SiC的,从而导致合成产物的复介电常数降低.
李智敏1，罗发1，苏晓磊1，朱冬梅1，周万城1
(1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072)
摘要:;用蔗糖、SiO2、Al2O3溶胶,利用碳热还原法合成了碳化硅粉体.研究结果表明,在1450℃有少量碳化硅合成.随着合成温度的提高,合成产物逐步由非晶态转化碳化硅;随着合成产物中碳化硅含量的升高,合成粉末的复介电常数增大.与合成的纯碳化硅相比,添加少量Al2O3溶胶后合成的碳化硅的复介电常数明显升高,其原因在于Al、O分别替代Si、C,导致SiC晶格中出现带电缺陷所致.在N2气氛中合成的碳化硅的复介电常数明显高于Ar气氛中合成的SiC的复介电常数,这是由于N原子固溶到SiC晶格中产生带电缺陷引起的.添加较多Al2O3溶胶后,合成产物的复介电常数的实部、虚部低于添加少量Al2O3溶胶时的合成产物的复介电常数的实部、虚部.分析认为,添加较多Al2O3溶胶后,合成产物中出现一定数量的Al2O3,它的复介电常数的实部、虚部均低于SiC的,从而导致合成产物的复介电常数降低.
关键词:碳化硅; 复介电常数; 碳热-还原; 溶胶-凝胶; 掺杂;
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